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GermanyIPP057N08N3GHKSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPP057N08N3GHKSA1
Explicación
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4750 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IPP057M
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPP057N08N3GHKSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPP057N08N3, IPI057N08N3, IPB054N08N3 G)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPP057N08N3, IPI057N08N3, IPB054N08N3 G)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPP057N08N3GXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 730
Precio unitario : $2.68000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 730
Precio unitario : $2.68000
Tipo de reemplazo : Direct
Modelo de producto : AOT286L
Fabricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $1.02656
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $1.02656
Tipo de reemplazo : Similar