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GermanyVS-ETF150Y65U
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
VS-ETF150Y65U
Explicación
IGBT MOD 650V 142A EMIPAK-2B
Descripción detallada
IGBT Module Trench Three Level Inverter 650 V 142 A 417 W Chassis Mount EMIPAK-2B
Fabricación
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
Trench
Configuration
Three Level Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector (Ic) (Max)
142 A
Power - Max
417 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.06V @ 15V, 100A
Current - Collector Cutoff (Max)
100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
6.6 nF @ 30 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
EMIPAK-2B
Supplier Device Package
EMIPAK-2B
Base Product Number
ETF150
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETF150Y65U
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(VS-ETF150Y65U ~)
Featured Product
1(IGBT Power Modules)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev OBS 19/Jun/2019)
PCN Packaging
1(Emipak-2b 17/Mar/2017)
HTML Datasheet
1(VS-ETF150Y65U ~)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-