Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IRFD9110
Explicación
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Descripción detallada
P-Channel 100 V 700mA (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
IRFD9110 Models
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
700mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 420mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
4-HVMDIP
Package / Case
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Base Product Number
IRFD9110

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFD9110

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IRFD9110)
PCN Obsolescence/ EOL
1(SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015)
HTML Datasheet
1(IRFD9110)
EDA Models
1(IRFD9110 Models)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IRFD9110PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 3,011
Precio unitario : $1.57000
Tipo de reemplazo : Direct