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GermanySTP4NB100
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
STP4NB100
Explicación
MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB
Descripción detallada
N-Channel 1000 V 3.8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Fabricación
STMicroelectronics
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
STMicroelectronics
Series
PowerMESH™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
STP4N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STP4NB100
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(STP4NB100(FP))
HTML Datasheet
1(STP4NB100(FP))
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRFBG30PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 3,714
Precio unitario : $2.46000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 3,714
Precio unitario : $2.46000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : IXTP3N100P
Fabricante : IXYS
Cantidad disponible : 273
Precio unitario : $4.50000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 273
Precio unitario : $4.50000
Tipo de reemplazo : Similar