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GermanyIRF640L
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF640L
Explicación
MOSFET N-CH 200V 18A I2PAK
Descripción detallada
N-Channel 200 V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Through Hole I2PAK
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IRF640
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRF640L
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF640S(L)/SIHF640S(L))
HTML Datasheet
1(IRF640S(L)/SIHF640S(L))
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRFB4020PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 18,399
Precio unitario : $1.79000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 18,399
Precio unitario : $1.79000
Tipo de reemplazo : Direct
Modelo de producto : IRF640NLPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 998
Precio unitario : $1.78000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 998
Precio unitario : $1.78000
Tipo de reemplazo : Similar