English
China
Rusia
Italy
GermanyFQB8N25TM
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQB8N25TM
Explicación
MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK
Descripción detallada
N-Channel 250 V 8A (Tc) 3.13W (Ta), 87W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
FQB8N25TM Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.13W (Ta), 87W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
FQB8
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQB8N25TM
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FQB8N25, FQI8N25)
Environmental Information
()
EDA Models
1(FQB8N25TM Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-