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GermanyJAN2N5014
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
JAN2N5014
Explicación
TRANS NPN 900V 0.2A TO5
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 900 V 200 mA 1 W Through Hole TO-5AA
Fabricación
Microsemi Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microsemi Corporation
Series
Military, MIL-PRF-19500/727
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
900 V
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Power - Max
1 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Supplier Device Package
TO-5AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
JAN2N5014-ND
150-JAN2N5014
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Microsemi Corporation JAN2N5014
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 9/Jul/2018)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-