Última actualización
20251229
Idiomas
España
English
China
Rusia
Italy
Germany
Información de la industria
Consulta de inventario
MRF085HR5
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
MRF085HR5
Explicación
RF MOSFET LDMOS 50V NI650
Descripción detallada
RF Mosfet 50 V 100 mA 1.8MHz ~ 1.215GHz 25.6dB 85W NI-650H-4L
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
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Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
LDMOS
Configuration
Dual
Frequency
1.8MHz ~ 1.215GHz
Gain
25.6dB
Voltage - Test
50 V
Current Rating (Amps)
7µA
Noise Figure
-
Current - Test
100 mA
Power - Output
85W
Voltage - Rated
133 V
Package / Case
NI-650H-4L
Supplier Device Package
NI-650H-4L
Base Product Number
MRF08
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Otros nombres
568-13463-2-ND
568-13463
568-13463-1-ND
568-MRF085HR5TR
568-MRF085HR5DKR
568-MRF085HR5CT
568-13463-ND
568-13463-2
935351494178
568-13463-1
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. MRF085HR5
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(MRF085H)
Environmental Information
()
Design Resources
1(Using Datasheet Impedances for RF LDMOS Device)
PCN Obsolescence/ EOL
1(MRF085 EOL 19/Feb/2020)
PCN Design/Specification
()
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML Datasheet
1(MRF085H)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-
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