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GermanySIR644DP-T1-GE3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SIR644DP-T1-GE3
Explicación
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Descripción detallada
N-Channel 40 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3200 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
5.2W (Ta), 69W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SIR644
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SIR644DP-T1-GE3CT
SIR644DP-T1-GE3DKR
SIR644DP-T1-GE3TR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIR644DP-T1-GE3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SIR644DP Datasheet)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018)
HTML Datasheet
()
Product Drawings
1(PowerPak SO-8 Drawing)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : BSC022N04LSATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 19,264
Precio unitario : $1.50000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 19,264
Precio unitario : $1.50000
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