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GermanyFF225R12ME3BOSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FF225R12ME3BOSA1
Explicación
IGBT MOD 1200V 325A 1150W
Descripción detallada
IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 325 A 1150 W Chassis Mount Module
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
10
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
EconoDUAL™
Package
Tray
Product Status
Not For New Designs
IGBT Type
Trench Field Stop
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
325 A
Power - Max
1150 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 225A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
16 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
FF225R12
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-FF225R12ME3BOSA1
SP000317337
FF225R12ME3
INFINFFF225R12ME3BOSA1
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FF225R12ME3BOSA1
Documentos y medios de comunicación
-
Cantidad y precio
Cantidad: 10
Precio unitario: $141.852
Embalaje: Tray
Multiplicador mínimo: 10
Embalaje: Tray
Multiplicador mínimo: 10
Alternativas
-