Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FQP3N60
Explicación
MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 600 V 3A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
FQP3N60 Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
FQP3

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQP3N60

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(FQP3N60)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
()
EDA Models
1(FQP3N60 Models)
Product Drawings
1(TO220B03 Pkg Drawing)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IRFBC30PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 17,166
Precio unitario : $1.66000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : IXTP4N80P
Fabricante : IXYS
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $2.75000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STP3NK60Z
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 5,888
Precio unitario : $1.51000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STP4NK80Z
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $1.94000
Tipo de reemplazo : Similar