HAT2185WPWS-E

Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante

HAT2185WPWS-E

Explicación

MOSFET N-CH 150V 10A 8WPAK

Descripción detallada

N-Channel 150 V 10A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount 8-WPAK (3)

Fabricación

Renesas Electronics Corporation

Plazo de entrega estándar

Modelo edacad

Embalaje estándar

Inventario de proveedores

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Atributos del producto

Mfr

Renesas Electronics Corporation

Series

-

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

Obsolete

FET Type

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

430 pF @ 25 V

FET Feature

-

Power Dissipation (Max)

20W (Tc)

Operating Temperature

150°C

Mounting Type

Surface Mount

Supplier Device Package

8-WPAK (3)

Package / Case

8-PowerWDFN

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation HAT2185WPWS-E

Documentos y medios de comunicación

PCN Obsolescence/ EOL

1(Mult Dev EOL 15/Dec/2018)

PCN Packaging

1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)

Cantidad y precio

-

Alternativas

-

Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#

HAT2185WPWS-E

Resumen del número de pieza

Atributos del producto

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Otros nombres

Categoría

Documentos y medios de comunicación

Cantidad y precio

Alternativas

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