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GermanyPHB18NQ10T,118
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PHB18NQ10T,118
Explicación
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
Descripción detallada
N-Channel 100 V 18A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
671
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
633 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
79W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Clasificaciones medioambientales y de exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-PHB18NQ10T,118
NEXNXPPHB18NQ10T,118
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. PHB18NQ10T,118
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(PHB18NQ10T,118 Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 671
Precio unitario: $0.45
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 671
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 671
Alternativas
-