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GermanyPSMN3R5-80ES,127
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PSMN3R5-80ES,127
Explicación
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Descripción detallada
N-Channel 80 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Fabricación
Nexperia USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Nexperia USA Inc.
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9800 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
338W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
1727-5283
568-6711-ND
2166-PSMN3R5-80ES,127-1727
568-6711
934065163127
568-6711-5
568-6711-5-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Nexperia USA Inc. PSMN3R5-80ES,127
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(PSMN3R5-80ES)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(PSMN3R5-80ES)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : PSMN3R5-80PS,127
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 5,952
Precio unitario : $4.37000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 5,952
Precio unitario : $4.37000
Tipo de reemplazo : Similar