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GermanyMT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR
Explicación
IC FLASH 6TBIT PARALLEL 333MHZ
Descripción detallada
FLASH - NAND Memory IC 6Tbit Parallel 333 MHz
Fabricación
Micron Technology Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Micron Technology Inc.
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
Memory Type
Non-Volatile
Memory Format
FLASH
Technology
FLASH - NAND
Memory Size
6Tbit
Memory Organization
768G x 8
Memory Interface
Parallel
Clock Frequency
333 MHz
Write Cycle Time - Word, Page
-
Voltage - Supply
2.5V ~ 3.6V
Operating Temperature
0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type
-
Package / Case
-
Supplier Device Package
-
Base Product Number
MT29E6T08
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
Otros nombres
MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR-ND
MT29E6T08ETHBBM5-3ES:BTR
Categoría
/Product Index/Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory/Micron Technology Inc. MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR
Documentos y medios de comunicación
PCN Packaging
1(Memory 24-May-2022)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-