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China
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Germany2SD768K01-E#00
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SD768K01-E#00
Explicación
NPN BIPOLAR TRANSISTOR
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 6 A 40 W Through Hole TO-220AB
Fabricación
Renesas Electronics Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
163
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 60mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 3A, 3V
Power - Max
40 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
RENRNS2SD768K01-E#00
2156-2SD768K01-E#00
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Renesas Electronics Corporation 2SD768K01-E#00
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 163
Precio unitario: $1.85
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 163
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 163
Alternativas
-