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GermanyIPB60R099CPATMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPB60R099CPATMA1
Explicación
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Descripción detallada
N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CP
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
255W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IPB60R099
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPB60R099CP-ND
IPB60R099CSXT
IPB60R099CPTR
IPB60R099CP
IPB60R099CPXT
SP000088490
IPB60R099CPCT
IPB60R099CPDKR
IPB60R099CPATMA1TR
IPB60R099CPATMA1CT
IPB60R099CPATMA1DKR
IPB60R099CPDKR-ND
IPB60R099CPCT-ND
IPB60R099CPTR-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPB60R099CPATMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPB60R099CP)
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Cantidad y precio
Cantidad: 2000
Precio unitario: $4.33839
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 1000
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Cantidad: 1000
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