SQS423EN-T1

Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante

SQS423EN-T1_BE3

Explicación

MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

Descripción detallada

P-Channel 30 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Fabricación

Vishay Siliconix

Plazo de entrega estándar

Modelo edacad

Embalaje estándar

3,000

Inventario de proveedores

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Atributos del producto

Mfr

Vishay Siliconix

Series

TrenchFET®

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

Obsolete

FET Type

P-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

16A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1975 pF @ 15 V

FET Feature

-

Power Dissipation (Max)

62.5W (Tc)

Operating Temperature

-55°C ~ 175°C (TJ)

Grade

Automotive

Qualification

AEC-Q101

Mounting Type

Surface Mount

Supplier Device Package

PowerPAK® 1212-8

Package / Case

PowerPAK® 1212-8

Base Product Number

SQS423

Clasificaciones medioambientales y de exportación

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Otros nombres

742-SQS423EN-T1_BE3TR

742-SQS423EN-T1_BE3CT

742-SQS423EN-T1_BE3DKR

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SQS423EN-T1_BE3

Documentos y medios de comunicación

Datasheets

1(SQS423EN-T1_BE3)

Cantidad y precio

Cantidad: 1

Precio unitario: $0.9
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1