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GermanyKSB1149YS
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
KSB1149YS
Explicación
TRANS PNP DARL 100V 3A TO126-3
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 3 A 1.3 W Through Hole TO-126-3
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
KSB1149YS Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
PNP - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 1.5mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
4000 @ 1.5A, 2V
Power - Max
1.3 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package
TO-126-3
Base Product Number
KSB11
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi KSB1149YS
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(KSB1149)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
HTML Datasheet
1(KSB1149)
EDA Models
1(KSB1149YS Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : BD682
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 3,975
Precio unitario : $0.86000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 3,975
Precio unitario : $0.86000
Tipo de reemplazo : Similar