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GermanyBUK7226-75A118
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BUK7226-75A118
Explicación
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 7 V 45A (Ta) 158W (Ta) Surface Mount DPAK
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
951
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
7 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
45A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2385 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
158W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
NEXNXPBUK7226-75A118
2156-BUK7226-75A118
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. BUK7226-75A118
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BUK7226-75A)
HTML Datasheet
1(BUK7226-75A)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-