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GermanyPMDXB550UNE/S500147
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PMDXB550UNE/S500147
Explicación
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Descripción detallada
Mosfet Array 30V 590mA (Ta) 285mW (Ta), 4.03W (Tc) Surface Mount DFN1010B-6
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,549
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel
FET Feature
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
670mOhm @ 590mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.05nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
30.3pF @ 15V
Power - Max
285mW (Ta), 4.03W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-XFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
DFN1010B-6
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
NEXNXPPMDXB550UNE/S500147
2156-PMDXB550UNE/S500147
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/NXP USA Inc. PMDXB550UNE/S500147
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(PMDXB550UNE)
HTML Datasheet
1(PMDXB550UNE)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-