Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
TSM130NB06LCR
Explicación
MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
Descripción detallada
N-Channel 60 V 10A (Ta), 51A (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)
Fabricación
Taiwan Semiconductor Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Ta), 51A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2175 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PDFN (5.2x5.75)
Package / Case
8-PowerLDFN
Base Product Number
TSM130

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

TSM130NB06LCRTR
TSM130NB06LCR LRG
TSM130NB06LCRDKR
TSM130NB06LCRCT

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Taiwan Semiconductor Corporation TSM130NB06LCR

Documentos y medios de comunicación

Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(TSM130NB06LCR)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : TSM130NB06LCR RLG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Cantidad disponible : 7,500
Precio unitario : $0.91000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Modelo de producto : DMT6015LPS-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Cantidad disponible : 9,988
Precio unitario : $0.91000
Tipo de reemplazo : Similar