Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
SIHH24N65E-T1-GE3
Explicación
MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8
Descripción detallada
N-Channel 650 V 23A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
21 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2814 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
202W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 8 x 8
Package / Case
8-PowerTDFN
Base Product Number
SIHH24

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

SIHH24N65E-T1-GE3DKR
SIHH24N65E-T1-GE3CT
SIHH24N65E-T1-GE3TR

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHH24N65E-T1-GE3

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(SIHH24N65E)
HTML Datasheet
1(SIHH24N65E)

Cantidad y precio

Cantidad: 3000
Precio unitario: $3.47776
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 3000
Cantidad: 500
Precio unitario: $4.12384
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 100
Precio unitario: $4.6737
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 10
Precio unitario: $5.608
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $6.54
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1

Alternativas

-