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GermanySPP18P06PHKSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SPP18P06PHKSA1
Explicación
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Descripción detallada
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
860 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
81.1W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SPP18P
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SPP18P06PIN-NDR
SP000012300
SPP18P06PXK
SPP18P06PXTIN-ND
SPP18P06PIN-ND
SPP18P06PXTIN
SPP18P06PX
SPP18P06P
SPP18P06PIN
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPP18P06PHKSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SPP18P06P)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(SPP18P06P)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SPP18P06PHXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 726
Precio unitario : $1.51000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 726
Precio unitario : $1.51000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent