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GermanyIXFB30N120Q2
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IXFB30N120Q2
Explicación
MOSFET N-CH 1200V 30A ISOPLUS264
Descripción detallada
N-Channel 1200 V 30A (Tc) Through Hole ISOPLUS264™
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Q2 Class
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
ISOPLUS264™
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Base Product Number
IXFB30
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFB30N120Q2
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-