Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
HUF76423S3ST
Explicación
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 60 V 35A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
417
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
UltraFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1060 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
85W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263AB
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

2156-HUF76423S3ST
FAIFSCHUF76423S3ST

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor HUF76423S3ST

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(Datasheet)

Cantidad y precio

Cantidad: 417
Precio unitario: $0.72
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 417

Alternativas

-