English
China
Rusia
Italy
GermanyIPL65R310E6AUMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPL65R310E6AUMA1
Explicación
MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK
Descripción detallada
N-Channel 650 V 13.1A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ E6
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
104W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-VSON-4
Package / Case
4-PowerTSFN
Base Product Number
IPL65R
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
ROCINFIPL65R310E6AUMA1
2156-IPL65R310E6AUMA1-ITTR
SP000895216
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPL65R310E6AUMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPL65R310E6)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPL65R310E6)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V E6 Spice Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPL65R070C7AUMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 3,684
Precio unitario : $8.15000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 3,684
Precio unitario : $8.15000
Tipo de reemplazo : Similar