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GermanyIPP47N10SL26AKSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPP47N10SL26AKSA1
Explicación
MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 100 V 47A (Tc) 175W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
175W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IPP47N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP000225707
INFINFIPP47N10SL26AKSA1
IPP47N10SL-26
2156-IPP47N10SL26AKSA1-IT
IPP47N10SL26
IPP47N10SL-26-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPP47N10SL26AKSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPx47N10SL-26)
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