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GermanyFZ2400R12KE3B9NOSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FZ2400R12KE3B9NOSA1
Explicación
IGBT MODULE
Descripción detallada
IGBT Module Single Switch 1200 V 3200 A 11500 W Chassis Mount AG-IHM190-2-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
IGBT Type
-
Configuration
Single Switch
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
3200 A
Power - Max
11500 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 2.4kA
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
170 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
AG-IHM190-2-1
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-FZ2400R12KE3B9NOSA1
INFINFFZ2400R12KE3B9NOSA1
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FZ2400R12KE3B9NOSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 1
Precio unitario: $1252.3
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1
Alternativas
-