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GermanyFGAF40N60UFDTU
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FGAF40N60UFDTU
Explicación
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Descripción detallada
IGBT 600 V 40 A 100 W Through Hole TO-3PF
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
122
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 20A
Power - Max
100 W
Switching Energy
470µJ (on), 130µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
77 nC
Td (on/off) @ 25°C
15ns/65ns
Test Condition
300V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
95 ns
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
Supplier Device Package
TO-3PF
Clasificaciones medioambientales y de exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Otros nombres
2156-FGAF40N60UFDTU
FAIFSCFGAF40N60UFDTU
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/Fairchild Semiconductor FGAF40N60UFDTU
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 122
Precio unitario: $2.48
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 122
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 122
Alternativas
-