Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
RN1965FE(TE85L,F)
Explicación
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
250MHz
Power - Max
100mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package
ES6
Base Product Number
RN1965

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Otros nombres

RN1965FE(TE85LF)CT
RN1965FETE85LF
RN1965FE(TE85LF)TR
RN1965FE(TE85LF)DKR

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased/Toshiba Semiconductor and Storage RN1965FE(TE85L,F)

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(RN1961-66FE)

Cantidad y precio

Cantidad: 10
Precio unitario: $0.078
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $0.1
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1

Alternativas

Modelo de producto : RN1105MFV,L3F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : PEMH10,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 7,750
Precio unitario : $0.46000
Tipo de reemplazo : Similar