Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
RF1S9530
Explicación
-12A, -100V, 0.3 OHM, P-CHANNEL
Descripción detallada
P-Channel 100 V 12A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Fabricación
Harris Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
161
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000

Otros nombres

HARHARRF1S9530
2156-RF1S9530

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation RF1S9530

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IRF9530)

Cantidad y precio

Cantidad: 161
Precio unitario: $1.87
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 161

Alternativas

-