Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FQA11N90C
Explicación
MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
Descripción detallada
N-Channel 900 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
30
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3290 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Base Product Number
FQA1

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

FQA11N90CFSINACTIVE
FQA11N90CFS
FQA11N90CFS-ND
Q2658628A

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQA11N90C

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(FQA11N90C)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(FQA11N90C)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : 2SK1342-E
Fabricante : Renesas Electronics Corporation
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : IRFPF50
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : IRFPF50PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 476
Precio unitario : $6.65000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STW7NK90Z
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 90
Precio unitario : $4.08000
Tipo de reemplazo : Similar