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GermanyG3R75MT12J
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
G3R75MT12J
Explicación
SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Descripción detallada
N-Channel 1200 V 42A (Tc) 224W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Fabricación
GeneSiC Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
G3R75MT12J Models
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
GeneSiC Semiconductor
Series
G3R™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.69V @ 7.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1560 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
224W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263-7
Package / Case
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Base Product Number
G3R75
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(G3R75MT12J)
PCN Obsolescence/ EOL
1(DK OBS NOTICE)
EDA Models
1(G3R75MT12J Models)
Cantidad y precio
Cantidad: 1
Precio unitario: $11.03
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Alternativas
Modelo de producto : G3R75MT12J-TR
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Cantidad disponible : 2,843
Precio unitario : $11.03000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended
Cantidad disponible : 2,843
Precio unitario : $11.03000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended