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GermanyIPI50N12S3L15AKSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPI50N12S3L15AKSA1
Explicación
MOSFET N-CHANNEL_100+
Descripción detallada
N-Channel 120 V 50A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 60µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4180 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
100W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3-1
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IPI50N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
INFINFIPI50N12S3L15AKSA1
2156-IPI50N12S3L15AKSA1
SP001398608
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPI50N12S3L15AKSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPx50N12S3L-15)
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PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 9/Sep/2019)
Simulation Models
1(OptiMOS-T 120V Spice Model)
Cantidad y precio
Cantidad: 360
Precio unitario: $0.84
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 360
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 360
Alternativas
-