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GermanySPD06N60C3BTMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SPD06N60C3BTMA1
Explicación
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO252-3
Descripción detallada
N-Channel 650 V 6.2A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 260µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
620 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
74W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
SPD06N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SPD06N60C3BTMA1TR
INFINFSPD06N60C3BTMA1
SPD06N60C3INCT-ND
SPD06N60C3INTR-ND
SPD06N60C3BTMA1CT
SP000307394
SPD06N60C3XT
SPD06N60C3INCT
SPD06N60C3INDKR-ND
SPD06N60C3-ND
SPD06N60C3
SPD06N60C3BTMA1DKR
SPD06N60C3INDKR
SPD06N60C3INTR
2156-SPD06N60C3BTMA1
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPD06N60C3BTMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SPD06N60C3)
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Simulation Models
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Cantidad y precio
-
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