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GermanyIRLHM620TR2PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRLHM620TR2PBF
Explicación
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Descripción detallada
N-Channel 20 V 26A (Ta), 40A (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
400
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3620 pF @ 10 V
FET Feature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PQFN (3x3)
Package / Case
8-VQFN Exposed Pad
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRLHM620TR2PBFCT
SP001558170
IRLHM620TR2PBFDKR
IRLHM620TR2PBFTR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRLHM620TR2PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRLHM620PbF)
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1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRLHM620PbF)
Simulation Models
1(IRLHM620TR2PBF Spice Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-