GT10J312(Q)

Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante

GT10J312(Q)

Explicación

IGBT 600V 10A 60W TO220SM

Descripción detallada

IGBT 600 V 10 A 60 W Through Hole

Fabricación

Toshiba Semiconductor and Storage

Plazo de entrega estándar

Modelo edacad

Embalaje estándar

Inventario de proveedores

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Atributos del producto

Mfr

Toshiba Semiconductor and Storage

Series

-

Package

Tube

Product Status

Obsolete

IGBT Type

-

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

600 V

Current - Collector (Ic) (Max)

10 A

Current - Collector Pulsed (Icm)

20 A

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Power - Max

60 W

Switching Energy

-

Input Type

Standard

Td (on/off) @ 25°C

400ns/400ns

Test Condition

300V, 10A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200 ns

Operating Temperature

150°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Supplier Device Package

-

Base Product Number

GT10J312

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312(Q)

Documentos y medios de comunicación

Datasheets

1(GT10J312)

HTML Datasheet

1(GT10J312)

Cantidad y precio

-

Alternativas

-

800-10-017-10-001000 CMF6547R500FKBF MTSW-121-08-F-D-255 CX10S-HCBDAH-P-A-DK00000 TEN 3-0523

GT10J312(Q)

Resumen del número de pieza

Atributos del producto

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Otros nombres

Categoría

Documentos y medios de comunicación

Cantidad y precio

Alternativas

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