Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
TSM60N600CH C5G
Explicación
MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO251
Descripción detallada
N-Channel 600 V 8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Fabricación
Taiwan Semiconductor Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
75
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
743 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-251 (IPAK)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Base Product Number
TSM60

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

TSM60N600CHC5G
TSM60N600CH C5G-ND

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N600CH C5G

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(TSM60N600CH C5G)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(OBS 22/Jan/2024)
HTML Datasheet
1(TSM60N600)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IPS80R600P7AKMA1
Fabricante : Rochester Electronics, LLC
Cantidad disponible : 2,980
Precio unitario : $0.76000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STU12N60M2
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.73479
Tipo de reemplazo : Similar