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GermanySPD08P06P
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SPD08P06P
Explicación
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Descripción detallada
P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.83A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
42W (Tc)
Operating Temperature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Base Product Number
SPD08P
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SPD08P06PXT
SP000077441
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPD08P06P
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