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GermanySIHG73N60AEL-GE3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SIHG73N60AEL-GE3
Explicación
MOSFET N-CH 600V 69A TO247AC
Descripción detallada
N-Channel 600 V 69A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
25
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
EL
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
69A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 36.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
342 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6709 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
520W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SIHG73
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SIHG73N60AEL-GE3DKR
SIHG73N60AEL-GE3DKRINACTIVE
SIHG73N60AEL-GE3CT
SIHG73N60AEL-GE3TR
SIHG73N60AEL-GE3DKR-ND
SIHG73N60AEL-GE3TRINACTIVE
SIHG73N60AEL-GE3CT-ND
SIHG73N60AEL-GE3TR-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHG73N60AEL-GE3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SIHG73N60AEL ~)
HTML Datasheet
1(SIHG73N60AEL ~)
Cantidad y precio
Cantidad: 10
Precio unitario: $10.725
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $12.17
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Alternativas
-