English
China
Rusia
Italy
GermanyNTD4810N-35G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NTD4810N-35G
Explicación
MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK
Descripción detallada
N-Channel 30 V 9A (Ta), 54A (Tc) 1.4W (Ta), 50W (Tc) Through Hole IPAK
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
75
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Ta), 54A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 12 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.4W (Ta), 50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Stub Leads, IPAK
Base Product Number
NTD48
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-NTD4810N-35G-ON
ONSONSNTD4810N-35G
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTD4810N-35G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(NTD4810N)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 24/Jan/2011)
HTML Datasheet
1(NTD4810N)
Cantidad y precio
Cantidad: 1480
Precio unitario: $0.2
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1480
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1480
Alternativas
-