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GermanyPSMN4R6-100XS,127
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PSMN4R6-100XS,127
Explicación
MOSFET N-CH 100V 70.4A TO220F
Descripción detallada
N-Channel 100 V 70.4A (Tc) 63.8W (Tc) Through Hole TO-220F
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
70.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9900 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
63.8W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Base Product Number
PSMN4
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
568-10158-ND
PSMN4R6-100XS,127-ND
934067065127
2156-PSMN4R6-100XS127-NX
568-10158
PSMN4R6100XS127
NEXNXPPSMN4R6-100XS,127
568-10158-5
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. PSMN4R6-100XS,127
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(PSMN4R6-100XS)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 05/Jul/2015)
PCN Assembly/Origin
1(Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(PSMN4R6-100XS)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FDPF045N10A
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 1,000
Precio unitario : $4.07000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 1,000
Precio unitario : $4.07000
Tipo de reemplazo : Similar