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GermanyITC1100
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
ITC1100
Explicación
RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SW
Descripción detallada
RF Transistor NPN 65V 80A 1.03GHz 3400W Chassis Mount 55SW
Fabricación
Microsemi Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microsemi Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65V
Frequency - Transition
1.03GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
-
Gain
10dB ~ 10.5dB
Power - Max
3400W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 5A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max)
80A
Operating Temperature
200°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
55SW
Supplier Device Package
55SW
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Otros nombres
ITC1100-ND
150-ITC1100
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Microsemi Corporation ITC1100
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(ITC1100)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices OBS 13/Aug/2018)
HTML Datasheet
1(ITC1100)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-