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Germany2SA1469R-MBS-LA9
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SA1469R-MBS-LA9
Explicación
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 5 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220ML
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
919
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 2V
Power - Max
2 W
Frequency - Transition
100MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
TO-220ML
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Otros nombres
2156-2SA1469R-MBS-LA9
ONSONS2SA1469R-MBS-LA9
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SA1469R-MBS-LA9
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 919
Precio unitario: $0.33
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 919
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 919
Alternativas
-