Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
BSM25GP120B2BOSA1
Explicación
IGBT MODULE 1200V
Descripción detallada
IGBT Module Full Bridge 1200 V 45 A 230 W Chassis Mount Module
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
10
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Power - Max
230 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.55V @ 15V, 25A
Current - Collector Cutoff (Max)
500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
1.5 nF @ 25 V
Input
Three Phase Bridge Rectifier
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM25G

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

448-BSM25GP120B2BOSA1
SP000101734

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies BSM25GP120B2BOSA1

Documentos y medios de comunicación

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Cantidad y precio

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Alternativas

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