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GermanyIRFSL4610PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFSL4610PBF
Explicación
MOSFET N-CH 100V 73A TO262
Descripción detallada
N-Channel 100 V 73A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
73A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3550 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
190W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001578448
*IRFSL4610PBF
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFSL4610PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFB4610, IRFS(L)4610)
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1(IRFB4610, IRFS(L)4610)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPI086N10N3GXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 470
Precio unitario : $1.75000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 470
Precio unitario : $1.75000
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