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GermanyHAT2165N-EL-E
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
HAT2165N-EL-E
Explicación
MOSFET N-CH 30V 55A 8LFPAK
Descripción detallada
N-Channel 30 V 55A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK-iV
Fabricación
Renesas Electronics Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
145
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5180 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-LFPAK-iV
Package / Case
8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-HAT2165N-EL-E
2156-HAT2165N-EL-E-RETR-ND
RENRNSHAT2165N-EL-E
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation HAT2165N-EL-E
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(HAT2165N-EL-E)
Cantidad y precio
Cantidad: 145
Precio unitario: $2.07
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 145
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 145
Alternativas
-