English
China
Rusia
Italy
GermanyBSP123E6327T
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSP123E6327T
Explicación
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
Descripción detallada
N-Channel 100 V 370mA (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
370mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 370mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
70 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.79W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT223-4
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
BSP123XTINCT
BSP123XTINTR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSP123E6327T
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BSP123)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(BSP123)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : BSP89,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 11,928
Precio unitario : $0.56000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 11,928
Precio unitario : $0.56000
Tipo de reemplazo : Similar