English
China
Rusia
Italy
GermanyRF1S70N06SM9A
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
RF1S70N06SM9A
Explicación
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 60 V 70A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
123
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PSPICE®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
215 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263AB
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
FAIFSCRF1S70N06SM9A
2156-RF1S70N06SM9A
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor RF1S70N06SM9A
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(RF1S70N06)
Cantidad y precio
Cantidad: 123
Precio unitario: $2.45
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 123
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 123
Alternativas
-